特許
J-GLOBAL ID：200903067779010620

可変降伏特性ダイオード

発明者：
ゴーン,デービッド

ゴーン,デービッド について

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ビル,コリン・エス

ビル,コリン・エス について

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カザ,スワループ

カザ,スワループ について


出願人/特許権者：
スパンジョン・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー

スパンジョン・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-503123
公開番号（公開出願番号）：特表2008-536299
出願日： 2006年03月22日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
少なくとも2つの電極(110、120、906、908、1002、1004)の間に制御可能に導電性のある媒体(130、910)を有する、少なくとも2つの電極(110、120、906、908、1002、1004)からなるメモリセル(100、200、904、1006)が開示される。印加される電界などの外部刺激が第1および第2の電極(110、120、906、908、1002、1004)に与えられると、イオンが移動し、ポリマーをドープおよび/または脱ドープする。ポリマーをドープするのに用いられる印加外部刺激は、メモリセル(100、200、904、1006)を動作させる外部刺激よりも大きい。ポリマーは、ドーピングの度合いの結果である電気的特性を備える可変降伏特性ダイオードとして機能する。メモリ素子は、電流制限された読出信号を有し得る。メモリデバイス/セルを作製する方法、メモリデバイス/セルを用いる方法、およびメモリセル(100、200、904、1006)を含む装置も開示される。
請求項（抜粋）：
メモリセル(100、200、904、1006)を制御する方法であって、 第1の電極(110、906、1002)と少なくとも第2の電極(120、908、1004)との間に制御可能に導電性のある媒体(130、910)を設けるステップを含み、前記制御可能に導電性のある媒体(130、910)は、降伏電圧を有する少なくとも1つの活性層(140、912)と、超イオン材料を含む少なくとも1つの不動態層(150、914)とを含み、さらに 前記活性層(140、912)をドープするステップと、 前記活性層(140、912)の前記降伏電圧を変更するステップとを含み、前記活性層(140、912)の前記降伏電圧は、外部刺激に少なくとも部分的に基づいて少なくとも2つの降伏電圧レベルのうち1つに選択的に変更される、方法。
IPC (7件)：
H01L 27/10 ,  H01L 29/866 ,  H01L 29/861 ,  H01L 49/00 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 27/28
FI (8件)：
H01L27/10 451 ,  H01L29/90 D ,  H01L29/91 F ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/28 100B ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 220A ,  H01L27/10 449
Fターム (13件)：
5F083FZ07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42
引用特許：
審査官引用 (3件)

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