ツェナーダイオードに類するデバイスを利用するメモリアレイのコントロール

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鈴木正剛 , 佐野良太 , 村松義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-549921
公開番号（公開出願番号）：特表2006-505939
出願日： 2003年07月10日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

本発明は、半導体アレイの個々のデバイス変化状態における有効性を補助することによって半導体デバイスを容易にする。状態変化電圧が、トランジスタ形式電圧コントロールの必要なしに半導体デバイスアレイ(100,200,212,300,400)におけるシングルデバイスに印加されうる。本発明のダイオード効果(114,508,510,900,1014,1114,1214,1502,1702,1812)は、状態変化に必要な特定的な電圧レベルを求められたデバイスのみに発生することを可能にすることによって前述のアクティビティを行うことを容易にする。この方法において、デバイスアレイ(100,200,212,300,400)は、種々のデータあるいは状態でトランジスタ技術を利用することなくプログラムされうる。本発明は、又、これらのデバイス形式を生成する極めて有効性のある方法を可能にし、コストのかかる外部電圧コントロール用半導体デバイスを製造する必要性をなくすことである。

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイ(100,200,212,300,400)であって、アドレス指定可能な複数のメモリセルデバイス(110,112,116,206,214,310,312,314,316,410,412,414,416,500)を含み、前記メモリセルデバイスは、プログラミング、消去及びリードする目的のために内部電流のセルフレギュレーションを可能とするダイオード特性(114,508,510,900,1014,1114,1214,1502.1702,1812)を有する、メモリセルアレイ。

IPC (7件)：

H01L 27/10 , H01L 27/28 , H01L 51/05 , G11C 13/00 , H01L 29/861 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (7件)：

H01L27/10 451 , H01L27/10 449 , G11C13/00 Z , H01L29/91 G , H01L29/90 Z , H01L27/04 F , H01L29/28

Fターム (15件)：

5F038AV04 , 5F038DF05 , 5F038EZ03 , 5F038EZ20 , 5F083FZ07 , 5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083JA33 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083LA21

引用特許：

審査官引用 (5件)

可塑性機能素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-163526 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-060166
読出し専用メモリ及び読出し専用メモリ装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-512213 出願人：シンフイルムエレクトロニクスエイエスエイ

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