特許
J-GLOBAL ID：200903067785179148

半導体装置及びその製造方法

発明者：
井原 義博

井原 義博 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-355229
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176904
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子の電極端子形成面を封止した際に、この封止層の密着性が高い半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子12の電極端子形成面に、一端側が電極端子形成面に形成された電極端子14に電気的に接続され、他端側が外部接続端子24を接続するランド部20aに形成された配線パターン20が形成された半導体装置において、配線パターン20は、異なる金属から成る金属層U、Vが層状に積層されて形成されると共に、配線パターン20の基幹部となる金属層Uの側面が、金属層の直上に形成された金属層Vの側面よりも内側に凹んで形成されている。これにより配線パターン20と封止層28との密着性が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体素子の電極端子形成面に、一端側が該電極端子形成面に形成された電極端子に電気的に接続され、他端側が外部接続端子を接続するランド部に形成された配線パターンが形成された半導体装置において、前記配線パターンは、異なる金属から成る金属層が層状に積層されて形成されると共に、該配線パターンの基幹部となる金属層の側面が、該金属層の直上に形成された金属層の側面よりも内側に凹んで形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L 21/92 602 H ,  H01L 23/12 L
引用特許：
審査官引用 (4件)
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