特許
J-GLOBAL ID:200903067792100310
研磨装置および研磨方法、並びに半導体装置および薄膜磁気ヘッドの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤島 洋一郎 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-216176
公開番号(公開出願番号):特開2000-042914
出願日: 1998年07月30日
公開日(公表日): 2000年02月15日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置や薄膜磁気ヘッド等の微細化に対応して、精度良く平坦化プロセスを行うことができる研磨装置を提供する。【解決手段】 研磨装置1は、複数、例えば3個の研磨部11A〜11Cおよび洗浄部11Dを備えている。まず、研磨部11Aにおいて、硬質の砥石からなる定盤12aにより粗削りの研磨がなされる。この場合、定盤12aの研磨面が硬いため、研磨面にはウェハのパターン依存性は見られない。次に、研磨部11Bにおいて、単層構造の硬い研磨パッド13bにより、定盤12aにおいてウェハに軽度に発生したスクラッチや研磨歪が除去(中削り)され、続いて、研磨部11Cにおいて、2層構造の研磨パッド13cによって、研磨の仕上げがなされる。最後に、洗浄部11Dにおいて、洗浄パッド13dによって、前工程で発生したマイクロスクラッチやスラリーによる汚染物が完全に洗い流される。
請求項(抜粋):
被研磨物を研磨し平坦化するための研磨装置であって、1の被研磨物に対して、互いに程度の異なる研磨処理を行う複数の研磨部を備えたことを特徴とする研磨装置。
IPC (3件):
B24B 37/04
, B24B 7/00
, H01L 21/304 621
FI (3件):
B24B 37/04 Z
, B24B 7/00 A
, H01L 21/304 621 D
Fターム (19件):
3C043BA04
, 3C043BA09
, 3C043BA16
, 3C043CC02
, 3C043CC06
, 3C043CC07
, 3C043CC11
, 3C043CC13
, 3C043DD05
, 3C058AA02
, 3C058AA06
, 3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058AA18
, 3C058AC04
, 3C058CB01
, 3C058CB05
, 3C058DA02
, 3C058DA17
引用特許:
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