電極体及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ並びにそれらの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-157258
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340497
出願日： 2004年05月27日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】低仕事関数及び高仕事関数が可能な電極体を提供する。また、デバイス効率の向上を図ることができる有機薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。【解決手段】電子吸引基で終端されているアモルファスカーボン膜を有する電極体、若しくは、電子供与基で終端されているアモルファスカーボン膜を有する電極体を提供する。また、チャネルがp型有機半導体の場合には、ソース電極体及び/又はドレイン電極体が、電子吸引基で終端されたアモルファスカーボン膜を有する電極体を、また、チャネルがn型有機半導体の場合には、ソース電極体及び/又はドレイン電極体が、電子供与基で終端されたアモルファスカーボン膜を有する電極体を用いた有機薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

アモルファスカーボン膜を有する電極体であって、該アモルファスカーボン膜は電子吸引基で終端されていることを特徴とする電極体。

IPC (5件)：

H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/00

FI (7件)：

H01L21/28 301Z , H01L21/28 301B , H01L21/285 C , H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 616K , H01L29/28

Fターム (24件)：

4M104AA09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD45 , 4M104DD81 , 4M104GG00 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110HK01 , 5F110HK03 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HK42

引用特許：

出願人引用 (1件)

有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-215748 出願人：旭化成工業株式会社

審査官引用 (4件)

画像表示装置、有機EL素子および画像表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-281527 出願人：奇美電子股ふん有限公司
有機半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-265170 出願人：パイオニア株式会社
有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-183660 出願人：双葉電子工業株式会社

全件表示

前のページに戻る