特許
J-GLOBAL ID：200903067822701941
半導体装置の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-093369
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260681
出願日： 1996年03月23日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【目的】 線状のレーザー光を用いたアクティブマトリクス領域の形成工程において、レーザー光のビーム内照射エネルギー密度のバラツキによる縞模様表示を抑制する。【構成】 ガラス基板101上に形成されるアクティブマトリクス領域102を構成する半導体薄膜に対するレーザーアニールにおいて、104で示されるマトリクス状に配置される薄膜トランジスタ群に対して、マトリクスを構成する行または列に対して線状のレーザー光103の長手方向がAで示されるある角度をもつようにする。そしてこの状態で線状のレーザー103を109で示される方向に走査して照射する。このようにすることにより、レーザービーム103内の照射エネルギー密度のバラツキによる影響が表示の際に現れることを抑制することができる。
請求項（抜粋）：
マトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路を有する半導体装置の作製方法であって、アクティブマトリクス回路を構成する半導体薄膜に対して、マトリクスを構成する行または列から 10°〜80°または-10°〜-80°の角度を有した方向に長手方向を有する線状のレーザー光を走査しながら照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (7件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01S 3/225
H01L 29/78 627 G
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/268 Z
, H01L 27/12 R
, H01S 3/223 E
