特許

J-GLOBAL ID：200903067828836474

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 清水 悟
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-224571
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037193
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 微細化に適したトレンチ分離を備え、かつ容易にソース拡散層領域を低抵抗化できる構造の不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 ソース拡散層領域2上の半導体基板1主表面は、凹部および凸部が連続的に交互に繰り返される凹凸形状を成しており、ソース拡散層領域2は、半導体基板1を平面的にみて、凸部の上面から半導体基板1の深さ方向に向かって形成されたソース領域2aと、半導体基板1を平面的にみて、凹部の底面から半導体基板1の深さ方向に向かって形成されたソース拡散層配線2bとを備え、凸部上面からのソース領域2aの底面の深さが、凸部上面からの凹部底面の深さと同じかそれより大きいことによる。

請求項（抜粋）：

半導体基板主表面に連続して形成されたソース拡散層領域を有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記ソース拡散層領域上の前記半導体基板主表面は、前記ソース拡散層領域の延伸方向と平行な方向の断面において、凹部および凸部が連続的に交互に繰り返される凹凸形状を成し、前記ソース拡散層領域は、前記半導体基板を平面的にみて、前記凸部の上面から前記半導体基板の深さ方向に向かって形成された第1のソース拡散層領域と、前記半導体基板を平面的にみて、前記凹部の底面から前記半導体基板の深さ方向に向かって形成された第2のソース拡散層領域とを備え、前記凸部上面からの前記第1のソース拡散層領域の底面の深さが、前記凸部上面からの前記凹部底面の深さと同じかそれより大きい、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (17件)：

5F083EP64 ,  5F083EP67 ,  5F083EP69 ,  5F083GA02 ,  5F083KA13 ,  5F083KA14 ,  5F083NA01 ,  5F083PR37 ,  5F101BA07 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD06 ,  5F101BD15 ,  5F101BD35 ,  5F101BH09 ,  5F101BH19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置および半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-258602   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-012541   出願人：日本電気株式会社