特許
J-GLOBAL ID:200903067829282812
プラズマ処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
志賀 正武 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-035189
公開番号(公開出願番号):特開平11-233291
出願日: 1998年02月17日
公開日(公表日): 1999年08月27日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 プラズマ処理装置において各種の処理を行う際に、不必要なプラズマ放電を防止し、安定して均一性の高い処理が行えるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置は、サセプタ13に設けられた孔を貫通するように設けられ、サセプタが下降した際にサセプタの上面から突出し、サセプタが上昇した際に自重で下降することによりサセプタの孔に埋没する被処理物16支持用のサセプタピン14と、サセプタピンの昇降方向を案内するサセプタピンガイドとを備え、サセプタピン14およびサセプタピンガイドがセラミックスで形成されたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
サセプタに設けられた孔を貫通するように設けられ、前記サセプタが下降した際に前記サセプタの上面から突出し、前記サセプタが上昇した際に自重で下降することにより前記サセプタの孔に埋没する被処理物支持用のサセプタピンと、前記サセプタピンの昇降方向を案内するガイドとを備え、前記サセプタピンおよびガイドがセラミックスで形成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件):
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
, H01L 21/205
FI (6件):
H05H 1/46 A
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/31 C
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
引用特許: