半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-134477
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323490
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】トランジスタの安全動作領域を広くする。【解決手段】エミッタ領域23は、直線状リング形状に形成され、エミッタ-ベース接合界面の面積が大きくとられている。また、P型ベース領域22には、ユニバーサル接合構造をなすベース電極接続部25が内蔵されている。ユニバーサル電極構造部25は、電荷の移動方向と交差する方向に沿って、P+ 型領域251とN+ 型領域252とを交互に配列して構成されている。これにより、ベース領域22における小数キャリア(電子)は、N型領域252へと引き込まれるので、ベース領域22における電子の蓄積が抑制される。

請求項（抜粋）：

コレクタ領域と、このコレクタ領域に接合して形成されたベース領域と、このベース領域に埋設された状態で設けられ、所定方向に沿って直線状に引き延ばされたリング形状のエミッタ領域とを含むトランジスタを備えた半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73

Fターム (10件)：

5F003AP00 , 5F003AP06 , 5F003BB02 , 5F003BB90 , 5F003BE09 , 5F003BF02 , 5F003BF03 , 5F003BH01 , 5F003BH16 , 5F003BH99

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-172466
特開昭58-066356
特開昭63-172466

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