シリコン薄膜太陽電池の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-203707
公開番号（公開出願番号）：特開2005-050905
出願日： 2003年07月30日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】結晶性シリコンからなるi層を有する太陽電池用シリコン薄膜を大面積の基板上に均一に形成し、高出力の太陽電池を提供する。【解決手段】本発明のシリコン薄膜太陽電池の製造方法は、p層とn層の間にi層を挟んだ構造を有するシリコン薄膜を高周波プラズマCVD法により基板上に形成する太陽電池の製造方法であって、i層は結晶性シリコンからなり、i層はパルス変調した高周波電力によるプラズマにより形成し、パルス変調の1周期は高周波電力が出力されるON状態と出力されないOFF状態とからなり、出力波形が矩形となるように変調され、パルス変調の1周期内のON状態の時間は1マイクロ秒〜100マイクロ秒であり、OFF状態の時間は5マイクロ秒以上であることを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

p層とn層の間にi層を挟んだ構造を有するシリコン薄膜を高周波プラズマCVD法により基板上に形成する太陽電池の製造方法であって、前記i層は、結晶性シリコンからなり、前記i層は、パルス変調した高周波電力によるプラズマにより形成し、パルス変調の1周期は高周波電力が出力されるON状態と出力されないOFF状態とからなり、出力波形が矩形となるように変調され、パルス変調の1周期内のON状態の時間は1マイクロ秒〜100マイクロ秒であり、OFF状態の時間は5マイクロ秒以上であることを特徴とするシリコン薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L31/04 , C23C16/24

FI (3件)：

H01L31/04 X , C23C16/24 , H01L31/04 V

Fターム (25件)：

4K030AA06 , 4K030AA07 , 4K030AA17 , 4K030AA20 , 4K030BA29 , 4K030BB04 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030FA03 , 4K030JA11 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 4K030LA16 , 5F051AA02 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051BA12 , 5F051CA03 , 5F051CA16 , 5F051CA34 , 5F051CB12 , 5F051CB29 , 5F051DA04 , 5F051DA16 , 5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (10件)

薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-120410 出願人：シャープ株式会社
堆積膜形成方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-279756 出願人：キヤノン株式会社
回転電極を用いた高速成膜方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-201722 出願人：三洋電機株式会社, 森勇藏

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