特許
J-GLOBAL ID：200903067875904828
プローバおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-329014
公開番号（公開出願番号）：特開2001-147240
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体ICが集合的に形成された半導体ウエハの電気試験等に用いるのに好適なプローバの製造方法を提供する。【解決手段】 半導体集積回路11aの電気特性の測定のためのプローバ10の製造方法。仮基板23上にフォトレジスト技術により形成されたエッチングマスク24を用い、仮基板23にエッチング処理を施し、半導体集積回路11aの接続端子に対応した探針13のための複数の孔25を仮基板23に形成する。各孔25内に探針13のための材料26を成長させる。各孔25内に成長した探針13を相互に結合する支持部24を絶縁材料の成長により形成する。仮基板23を除去し、支持部24で結合された各探針13を露出させる。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路の電気特性の測定のために該集積回路の接続端子に伸びる複数の探針を備えるプローバの製造方法であって、仮基板上にフォトレジスト技術により形成されたエッチングマスクを用い、前記仮基板にエッチング処理を施すことにより、前記端子に対応した探針のための複数の孔を前記仮基板に形成すること、各孔内に前記探針のための材料を成長させること、各孔内に成長した探針を相互に結合する支持部を絶縁材料の成長により形成すること、前記支持部で結合された各探針を露出させるべく前記仮基板を除去することを含むプローバの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 1/073 F
, H01L 21/66 B
2G011AA10
, 2G011AA16
, 2G011AB06
, 2G011AC14
, 2G011AD01
, 2G011AE03
, 2G011AF07
, 4M106AA01
, 4M106AA11
, 4M106BA01
, 4M106DD03
, 4M106DD10
, 4M106DD16
