ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-132372
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037105
出願日： 1993年05月12日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】トランジスタ動作時の経時的なベース電流の増加を抑制し、電流増幅率の低下のないヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。【構成】半絶縁性GaAs基板S上にn型GaAsコレクタバッファ層1,アンドープGaAsコレクタ層2,インジウム添加炭素ドープp型GaAsベース層13,n型Al0.3Ga0.7Asエミッタ層4およびn型InGaAsエミッタキャップ層5を順次エピタキシャル成長する。これをメサ型に加工し、WSi/Wからなるエミッタ電極6,Ti/Wからなるベース電極7およびAuGe/Niからなるコレクタ電極8を形成する。なお、9は素子間分離層、10は絶縁膜である。

請求項（抜粋）：

エミッタ領域,ベース領域およびコレクタ領域から構成され、前記ベース領域が炭素を含むGaAsまたは炭素を含むAlGaAsから構成されているヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記ベース領域が構成原子と異なるIII族またはV族の原子を含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-102312
特開平4-033372
特開平5-399340

全件表示

前のページに戻る