特許

J-GLOBAL ID：200903067915136365

半導体装置

発明者： 小越 博昭
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-114827
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298090
出願日： 2000年04月17日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の論理セルに生ずるリーク電流を低減し、低消費電流化を図る。【解決手段】 半導体装置を回路ブロック22毎に分割し、各回路ブロック22の枝電源線25を、回路ブロック22への入力信号線の信号変化に応答してオンする電源スイッチを有する電源制御回路27によって主電源線23に接続する。信号変化以外の期間中には、電源スイッチのオフ電流によって論理維持に必要な電流を供給し、その間における各回路ブロック22に生ずるリーク電流を低減する。

請求項（抜粋）：

電源装置に接続される電源供給線と、枝電源線を有し該枝電源線から電源が供給される論理回路と、該論理回路の論理入力信号線又は論理出力信号線の論理信号の変化を検出する信号変化検出回路と、前記電源供給線と前記枝電源線との間に接続され、前記論理信号の変化に応答してオンとなる電源スイッチとを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03K 19/00

FI (6件)：

H03K 19/00 A ,  H01L 21/82 S ,  H01L 21/82 B ,  H01L 27/04 D ,  H01L 27/04 U ,  H01L 27/08 321 L

Fターム (50件)：

5F038AV06 ,  5F038BB06 ,  5F038CA03 ,  5F038CD02 ,  5F038CD05 ,  5F038CD08 ,  5F038CD16 ,  5F038DF07 ,  5F038DF08 ,  5F038DF11 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AB02 ,  5F048AB04 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048DA09 ,  5F064AA04 ,  5F064BB04 ,  5F064BB05 ,  5F064BB06 ,  5F064BB07 ,  5F064BB09 ,  5F064BB19 ,  5F064BB27 ,  5F064BB28 ,  5F064BB37 ,  5F064CC12 ,  5F064CC23 ,  5F064DD25 ,  5F064DD34 ,  5F064EE16 ,  5F064EE52 ,  5F064FF07 ,  5J056AA00 ,  5J056BB17 ,  5J056BB49 ,  5J056CC00 ,  5J056CC03 ,  5J056DD12 ,  5J056DD28 ,  5J056DD51 ,  5J056DD55 ,  5J056FF08 ,  5J056HH03 ,  5J056HH04 ,  5J056KK02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法および内部電圧発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-272592   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-231234   出願人：株式会社日立製作所