特許
J-GLOBAL ID：200903067918755953
集積型シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-125901
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330513
出願日： 1998年05月08日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 優れた光電変換特性を有する結晶質光電変換層を含む大面積の集積型シリコン系薄膜光電変換装置を簡便かつ効率的で低コストに製造する。【解決手段】 基板101上に順次積層された第1電極層102、結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層106、および第2電極層108が複数の光電変換セルを形成するように直線状で互いに平行な複数の分離溝104,109によって分離され、かつそれらの複数のセルが分離溝に平行な接続用溝107を介して互いに電気的に直列接続される集積型シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法において、分離溝と接続用溝の少なくともいずれかはレーザスクライブされた後にそのスクライブで生じた破片や完全には除去し得なかった不要部分を粘着部材で除去することによって形成され、その粘着部材は0.01〜0.05N/mmの範囲内の粘着強度を有していることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
基板上に順次積層された第1電極層、少なくとも1の結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層、および第2電極層が複数の光電変換セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝によって分離され、かつそれらの複数のセルが前記分離溝に平行な接続用溝を介して互いに電気的に直列接続される集積型シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記分離溝と前記接続用溝の少なくともいずれかは、レーザスクライブされた後に、そのスクライブによって生じた破片やそのスクライブによって完全には除去し得なかった不要部分を粘着部材で除去することによって形成され、前記粘着部材は0.01〜0.05N/mmの範囲内の粘着強度を有していることを特徴とする集積型シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 21/205
