特許
J-GLOBAL ID：200903067939350198
炭化ケイ素単結晶基板の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-150436
公開番号（公開出願番号）：特開2008-303097
出願日： 2007年06月06日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】炭化ケイ素単結晶基板を短時間で効率よく製造する。【解決手段】炭化ケイ素単結晶のバルク体から板状成形体を切り出し、研磨加工又は研削加工により板状成形体の両面を粗加工し、ブラスト加工により板状成形体の裏面側を粗面化加工する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素単結晶のバルク体から板状成形体を切り出す工程と、
研磨加工又は研削加工により前記板状成形体の両面を粗加工する工程と、
ブラスト加工により前記板状成形体の裏面側を粗面化加工する工程と
を有することを特徴とする炭化ケイ素単結晶基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 33/00
, H01L 33/00
, C30B 29/36
, H01L 21/304
C30B33/00
, H01L33/00 A
, C30B29/36 A
, H01L21/304 622W
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077FG11
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 5F041AA03
, 5F041CA33
, 5F041CA77
