特許
J-GLOBAL ID：200903027946543838
メカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-259116
公開番号（公開出願番号）：特開2001-205555
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2001年07月31日
要約：
【要約】【課題】SiCなどの硬質材料を低い加工圧力でも効率よく研磨することができるメカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置を提供する。【解決手段】研磨定盤1には研磨布2が貼り付けられている。研磨定盤1の上方においてウェハ保持用テーブル3が配置され、ウェハ保持用テーブル3にSiCウェハ4が保持される。研磨定盤1の上方において注液器5が設置され、注液器5から薬液(過酸化水素水に酸化クロム砥粒を分散させたもの)6が研磨布2上に滴下される。SiCウェハ4の研磨する面を、研磨定盤1に貼り付けられた研磨布2に所定の加工圧力で押し付け、ウェハ保持用テーブル3と研磨定盤1を回転させ、研磨布2上に薬液6を滴下しながら研磨が行われる。
請求項（抜粋）：
酸化クロム(III) の粉末を砥粒として用い、被研磨材である半導体ウェハの研磨を行うメカノケミカル研磨方法において、研磨面に酸化剤が存在する状態で研磨を行うようにしたことを特徴とするメカノケミカル研磨方法。
IPC (5件)：
B24B 37/00
, C09K 3/14 550
, C09K 3/14
, H01L 21/304 622
, H01L 21/304
B24B 37/00 H
, B24B 37/00 C
, C09K 3/14 550 D
, C09K 3/14 550 Z
, H01L 21/304 622 B
, H01L 21/304 622 E
, H01L 21/304 622 W
, H01L 21/304 622 Z
, H01L 21/304 622 C
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058AC04
, 3C058BA05
, 3C058CA04
, 3C058DA02
, 3C058DA17
