特許
J-GLOBAL ID：200903067970763700
化合物半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-303869
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145059
出願日： 1997年11月06日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 化合物半導体装置の製造方法に関し、基板の熱処理を行なうのみで、そのまま直ちに結晶成長工程に入れるように、しかも、基板と結晶層との界面を充分に不活性化し、特性良好な半導体装置を製造できるようにする。【解決手段】 GaAs基板1をMOCVD装置内にセットし、ノンドープGaAs結晶層2を成長する前に基板温度が400〔°C〕以下の状態でトリスジメチルアミノアルシンを導入して基板熱処理を施すと、基板1と結晶層2との界面が不活性化されるので、キャリヤの発生は抑止され、従って、そのGaAs基板1を用いてMESFETやHEMTを製造した場合、リーク電流が少なく、特性が良好なものとなる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体ウエハを気相成長装置内にセットしてから化合物半導体結晶層を成長する前にウエハ温度が400〔°C〕以下の状態でトリスジメチルアミノアルシンを導入してウエハ熱処理を施す工程が含まれてなることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 21/205
, H01L 29/80 B
