特許
J-GLOBAL ID：200903017913971324
結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-190666
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055799
出願日： 1994年08月12日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 選択成長が比較的低い温度ででき、残留不純物の少ない高純度のGaAs結晶が得られる結晶成長方法を提供することである。【構成】 選択成長マスクとして酸化硅素膜2を部分的に形成したGaAs基板1上に、金属ガリウムとTDMAAsとを原料として、GaAs膜をエピタキシャル成長する場合、生ずる活性種と反応することにより再蒸発し酸化硅素膜2上にGaAs膜を形成することがない。GaAs基板1の表面上では、ガリウム原子の大半は再蒸発することなく、TDMAAsに含有されるAsと反応して、GaAs膜3が選択的に成長する。【効果】 GaAs基板1上に成長したGaAs膜3は、TMGaのようにメチル基を含有するガリウム原料を用いていないため、残留炭素濃度は極めて低い。また、比較的低い温度で選択成長ができる。
請求項（抜粋）：
固体金属と反応ガスとを原料として、加熱された基板上に化合物結晶をエピタキシャル成長する結晶成長方法において、前記反応ガスが少なくとも一つのアミンを有する金属化合物であることを特徴とする結晶成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C30B 23/08
, C30B 29/42
, H01L 21/205
