特許
J-GLOBAL ID:200903067980709852
すずーニッケル合金膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉村 興作 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-323631
公開番号(公開出願番号):特開2002-129375
出願日: 2000年10月24日
公開日(公表日): 2002年05月09日
要約:
【要約】【課題】 非平衡NiSn相を含まない安定なすずーニッケル合金膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 所定の基板上に、すず層とニッケル層 とをそれぞれ順次に析出させて、前記すず層と前記ニッケル層とからなる多層膜を形成する。次いで、この多層膜を所定の温度で加熱することにより、前記すず層を構成するすず元素を前記ニッケル層中に拡散させて、すずーニッケル合金膜を製造する。
請求項(抜粋):
所定の基板上に、すず層とニッケル層 とをそれぞれ順次に析出させて、前記すず層と前記ニッケル層とからなる多層膜を形成した後、この多層膜を所定の温度で加熱することにより、すずーニッケル合金膜を製造することを特徴とする、すずーニッケル合金膜の製造方法。
IPC (4件):
C25D 5/26
, C25D 5/12
, C25D 5/50
, C25D 7/00
FI (5件):
C25D 5/26 L
, C25D 5/26 K
, C25D 5/12
, C25D 5/50
, C25D 7/00 P
Fターム (9件):
4K024AA03
, 4K024AA07
, 4K024AB02
, 4K024AB19
, 4K024BA02
, 4K024BB20
, 4K024CA01
, 4K024CA06
, 4K024DB03
引用特許:
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