特許
J-GLOBAL ID：200903067980709852

すずーニッケル合金膜の製造方法

発明者：
兼松 秀行

兼松 秀行 について

, 
小林 達正

小林 達正 について

, 
沖 猛雄

沖 猛雄 について


出願人/特許権者：
鈴鹿工業高等専門学校長

鈴鹿工業高等専門学校長 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-323631
公開番号（公開出願番号）：特開2002-129375
出願日： 2000年10月24日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：
【要約】【課題】 非平衡NiSn相を含まない安定なすずーニッケル合金膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 所定の基板上に、すず層とニッケル層 とをそれぞれ順次に析出させて、前記すず層と前記ニッケル層とからなる多層膜を形成する。次いで、この多層膜を所定の温度で加熱することにより、前記すず層を構成するすず元素を前記ニッケル層中に拡散させて、すずーニッケル合金膜を製造する。
請求項（抜粋）：
所定の基板上に、すず層とニッケル層 とをそれぞれ順次に析出させて、前記すず層と前記ニッケル層とからなる多層膜を形成した後、この多層膜を所定の温度で加熱することにより、すずーニッケル合金膜を製造することを特徴とする、すずーニッケル合金膜の製造方法。
IPC (4件)：
C25D 5/26 ,  C25D 5/12 ,  C25D 5/50 ,  C25D 7/00
FI (5件)：
C25D 5/26 L ,  C25D 5/26 K ,  C25D 5/12 ,  C25D 5/50 ,  C25D 7/00 P
Fターム (9件)：
4K024AA03 ,  4K024AA07 ,  4K024AB02 ,  4K024AB19 ,  4K024BA02 ,  4K024BB20 ,  4K024CA01 ,  4K024CA06 ,  4K024DB03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (8件)
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