半導体素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-030652
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228535
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 III 族窒化物半導体素子において、高品質の素子層を提供することにより、高効率かつ長寿命の半導体素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】素子層がIn<SB>1-X-Y</SB> Ga<SB>X</SB> Al<SB>Y</SB> N(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)層である半導体素子は、平均組成がIn<SB>1-X'-Y'</SB> Ga<SB>X'</SB>Al<SB>Y</SB><SB>'</SB> N(0< X’≦1、0< Y’≦1、0< X’+Y’≦1)であり、かつ単結晶基板側との接触表面においてAlを含み、および素子層側との接触表面においてGaを含むように組成が連続的または不連続的に変化しているバッファ層を具える。

請求項（抜粋）：

素子層を形成する少なくとも1層のIn<SB>1-X-Y</SB> Ga<SB>X</SB> Al<SB>Y</SB>N(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)層が、少なくとも1層のバッファ層を介して単結晶基板上に積層される半導体素子において、前記バッファ層は、平均組成が、In<SB>1-X'-Y'</SB> Ga<SB>X'</SB>Al<SB>Y'</SB>N(0< X’≦1、0< Y’≦1、0< X’+Y’≦1)であり、かつ前記単結晶基板側との接触表面においてAlを含み、および前記素子層側との接触表面においてGaを含むように該単結晶基板側から該素子層側にかけて組成が連続的または不連続的に変化することを特徴とする半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 33/00 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 33/00 A , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/80 H

Fターム (46件)：

5F041AA40 , 5F041AA43 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA60 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC12 , 5F045AC16 , 5F045AD09 , 5F045AD12 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA58 , 5F045HA16 , 5F052AA11 , 5F052CA08 , 5F052DA04 , 5F052DA10 , 5F052DB02 , 5F052EA15 , 5F052JA10 , 5F052KA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GS02 , 5F102HC01 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (4件)

窒化物半導体の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-237501 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平3-203388
窒化物系化合物半導体の結晶成長方法及び半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-058798 出願人：株式会社日立製作所

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