超電導体膜及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , , , , ,
代理人 (2件)：栗原浩之 , 村中克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-312038
公開番号（公開出願番号）：特開2008-130291
出願日： 2006年11月17日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：

【課題】臨界電流密度Jcが高く、かつ磁場角度依存性が小さい超電導体膜を提供する。【解決手段】一般式REBa2Cu3OX(式中、REはPr及びCeを除く希土類元素のうち、少なくとも1種の元素であり、6.5<X<7.1である)で表される超電導物質からなる超電導体層中に、Baを含む常電導物質からなり、膜厚方向に間欠的に並んだ柱状結晶が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一般式REBa2Cu3OX(式中、REはPr及びCeを除く希土類元素のうち、少なくとも1種の元素であり、6.5<X<7.1である)で表される超電導物質からなる超電導体層中に、Baを含む常電導物質からなり、膜厚方向に間欠的に並んだ柱状結晶が形成されていることを特徴とする超電導体膜。

IPC (5件)：

H01B 13/00 , H01B 12/06 , C01G 1/00 , H01L 39/24 , C23C 14/08

FI (6件)：

H01B13/00 565D , H01B12/06 , C01G1/00 S , H01L39/24 B , C23C14/08 N , C23C14/08 K

Fターム (27件)：

4G047JC02 , 4G047KD00 , 4G047KE05 , 4G047KF01 , 4K029AA02 , 4K029AA04 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BC04 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC15 , 4M113BA04 , 4M113CA34 , 5G321AA02 , 5G321AA04 , 5G321BA07 , 5G321CA02 , 5G321CA03 , 5G321CA13 , 5G321CA21 , 5G321CA24 , 5G321CA27 , 5G321DB34 , 5G321DB35 , 5G321DB37 , 5G321DB39

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-016511
ナノドットフラックス・ピン止めセンターを有する酸化物膜
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-549250 出願人：アメリカン・スーパーコンダクター・コーポレーション
YBCO被覆において高い臨界電流密度の改良された構造体
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-524055 出願人：ロスアラモスナショナルセキュリティ,リミテッドライアビリテイカンパニー

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