特許
J-GLOBAL ID：200903068027354687

炭化珪素半導体ウエハ中の転位検出方法および炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
中村 俊一

中村 俊一 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-058901
公開番号（公開出願番号）：特開2009-218306
出願日： 2008年03月10日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：
【課題】炭化珪素半導体ウエハ中の転位を、デバイスプロセス中に少ない作業増加により検出する。【解決手段】主面が概ね(0001)Si面である炭化珪素半導体ウエハ3を用い、熱酸化膜11の形成後に多結晶シリコン12を堆積し、その表面に、ウエハ中の転位64に対応するヒロック20を生じさせる。このヒロック20をレーザーの散乱光を画像処理することにより転位を検出する。【選択図】 図11
請求項（抜粋）：
主面が(0001)Si面である炭化珪素半導体ウエハを熱酸化した後に多結晶シリコンを堆積し、該多結晶シリコン表面に出現するヒロックを転位とみなして、転位の有無の検出および転位有の場合の検出位置を特定することを特徴とする炭化珪素半導体ウエハ中の転位検出方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12
FI (4件)：
H01L21/66 N ,  H01L29/78 658L ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A
Fターム (5件)：
4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CB19 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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