特許

J-GLOBAL ID：200903068053944506

結晶質シリコン系薄膜のプラズマCVD方法およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 山本 憲治 ,  多和田 裕子
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-081460
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277439
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 被処理基板に高品位の結晶質シリコン薄膜を成膜することが可能なプラズマCVD方法を提供する。【解決手段】 排気部材を有する反応容器と、この反応容器内に配置され、被処理基板を保持する第1電極および反応ガスの吹き出し部を有する中空状の第2電極と、ガス導入手段と、前記第2電極に電力を印加するための電源とを具備したプラズマCVD装置を用い、前記被処理基板表面に結晶質のシリコン薄膜を成膜するに際し、前記反応容器内の圧力をP(Torr)、前記反応ガスの流量をQ(Torr・cm3/sec)、前記反応容器の容積をV(cm3)とすると、前記電極間での反応ガスの滞留時間τ(sec)を、τ=(P・V)/Qから算出し、かつ前記τおよびPをそれぞれ1〜10sec、5〜20Torrに設定した時、前記QおよびVを前記式(1)を満たすように選定して成膜を行なう。

請求項（抜粋）：

排気部材を有する反応容器と、この反応容器内に配置され、被処理基板を保持する第1電極と、前記反応容器内に前記第1電極に対向して配置され、前記第1電極との対向面に反応ガスの吹き出し部を有する中空状の第2電極と、この第2電極内に反応ガスを導入するためのガス導入手段と、前記第2電極に電力を印加するための電源とを具備したプラズマCVD装置を用い、前記第1電極に被処理基板を保持し、前記排気部材から前記反応容器内のガスを真空排気すると共に、シラン系ガスと水素を含む反応ガスを前記ガス導入管から前記中空状の第2電極の吹き出し部を通して前記被処理基板に向けて吹き出し、前記電源から所望の電力を前記第2電極に印加して前記電極間にプラズマを生成することにより前記被処理基板表面に結晶質のシリコン薄膜を成膜するに際し、前記反応容器内の圧力をP(Torr)、前記反応ガスの流量をQ(Torr・cm3/sec)、前記反応容器の容積をV(cm3)とすると、前記電極間での反応ガスの滞留時間τ(sec)を、次式τ=(P・V)/Q ...(1)から算出し、かつ前記τおよびPをそれぞれ1〜10sec、5〜20Torrに設定した時、前記QおよびVを前記式(1)を満たすように選定して成膜を行なうことを特徴とするシリコン薄膜のプラズマCVD方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50 B ,  H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 X

Fターム (53件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB01 ,  4K030BB03 ,  4K030BB04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030JA16 ,  4K030KA14 ,  4K030KA17 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045BB15 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045EE13 ,  5F045EF05 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051CB12 ,  5F051DA04 ,  5F051DA07 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051FA18

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平4-318921
  
• 特開昭63-223178
  
• 非晶質シリコン膜の製造方法、非晶質窒化シリコン膜の製造方法、微結晶シリコン膜の製造方法、及び非単結晶半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-100219   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平3-219622
  
• 多結晶シリコン薄膜およびその低温形成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-326887   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 特開平2-049474