特許
J-GLOBAL ID：200903068054893840

液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法

発明者：
川崎 清弘

川崎 清弘 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-027456
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217426
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 チャネルエッチ型TFTの5枚マスクプロセスでは開口部形成時にドレイン電極上で過食刻が発生する。またパシベーション絶縁層の形成でトランジスタ特性が劣化し易い。【解決手段】 ソース・ドレイン配線を陽極酸化可能な耐熱金属とアルミニウム合金の積層で構成してその表面を陽極酸化するとともに、ソース・ドレイン配線間の不純物を含む非晶質シリコン層も酸化シリコン層に変換することで パシベーション絶縁層を不要とする。
請求項（抜粋）：
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された絶縁基板と、前記絶縁基板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶画像表示装置において、絶縁基板上に1層以上の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲートも兼ねる走査線が形成され、前記ゲート上に1層以上のゲート絶縁層を介してゲートよりも幅広く不純物を含まない第1の半導体層が形成され、前記第1の半導体層上にゲートと一部重なり合って絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる1対の不純物を含む第2の半導体層が形成され、前記1対の第2の半導体層上とゲート絶縁層上とにソース(信号線)・ドレイン配線が陽極酸化可能な耐熱金属層とアルミニウム合金層と陽極酸化可能な中間導電層との積層で形成され、前記ドレイン配線上の中間導電層を含んでゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極が形成され、前記ドレイン配線上の中間導電層を除いてソース・ドレイン配線の表面に陽極酸化層が形成され、前記ソース・ドレイン配線間の第1の半導体層上に不純物を含まない酸化シリコン層と不純物を含む酸化シリコン層とが形成されていることを特徴とする液晶画像表示装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368
FI (3件)：
H01L 29/78 616 L ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 617 W
Fターム (62件)：
2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA27 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092MA43 ,  2H092NA11 ,  2H092NA25 ,  2H092NA29 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HM19 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN32 ,  5F110NN38 ,  5F110NN73
引用特許：
審査官引用 (8件)
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