特許
J-GLOBAL ID:200903068074464059
セラミック多層基板の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-362536
公開番号(公開出願番号):特開2000-188475
出願日: 1998年12月21日
公開日(公表日): 2000年07月04日
要約:
【要約】【課題】 セラミック基板上に、電子部品の高密度実装に適した微細な表層導体パターンを高精度に形成すること。【解決手段】 焼成処理を経たセラミック層5a〜5eからなるコア基板6の両主面に、所定の表層導体パターンが印刷されたセラミックグリーンシート7a及び7bを積層し、これを焼成する。
請求項(抜粋):
焼成処理を経たセラミック基板の少なくとも一方主面に、表層導体パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層し、これを焼成することを特徴とする、セラミック多層基板の製造方法。
Fターム (10件):
5E346AA43
, 5E346CC16
, 5E346CC39
, 5E346EE08
, 5E346EE24
, 5E346EE29
, 5E346FF18
, 5E346GG08
, 5E346GG09
, 5E346HH25
引用特許:
審査官引用 (2件)
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多層ハイブリッド回路の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-181230
出願人:ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
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積層電子部品
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-224052
出願人:株式会社村田製作所
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