特許
J-GLOBAL ID:200903068085390235
電源制御用半導体集積回路および電源装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大日方 富雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-011495
公開番号(公開出願番号):特開2003-219635
出願日: 2002年01月21日
公開日(公表日): 2003年07月31日
要約:
【要約】【課題】 従来の過電流検出回路は、検出する過電力のレベルがAC電源のレベルに応じて変化してしまうため、スイッチMOSFETなどの素子として過電力に充分に耐えられるような高耐力の素子を使用するか、あるいは別途過電力を検出する回路を外付け回路で構成する必要があり、電源システムのコスが上昇するという不具合があった。【解決手段】 スイッチング方式の電源装置を構成する電源制御用ICにおいて、過電力を検出するためのコンパレータ(31)の比較基準電圧(Vth)もしくは見かけ上のしきい値(VTH)を入力電圧(Vin)に応じて変化させる、具体的にはコンパレータのしきい値を入力電圧の逆数に比例して変化させる変換回路(34,37)を設けるようにした。
請求項(抜粋):
交流電源を受ける整流回路に接続されたコイルに流れる電流をスイッチングして、整流回路から出力される電圧を変換して出力する電源装置に使用され、前記コイルに流れる電流をオン、オフするスイッチング素子の制御パルスを出力する電源制御用半導体集積回路であって、過電流検出用の抵抗により変換された電圧と基準となる電圧とを比較して前記過電流検出用の抵抗により変換された電圧が基準となる電圧を越えた時に過電流が流れたと判定し前記スイッチング素子へ供給される制御パルスを停止させる信号を出力するコンパレータと、前記コンパレータの判定のためのしきい値が前記整流回路から出力される電圧に応じて変化されるように変換を行なう変換手段とを備えていることを特徴とする電源制御用半導体集積回路。
IPC (5件):
H02M 3/155
, H02H 3/08
, H02H 3/087
, H02H 7/20
, H02M 7/12
FI (7件):
H02M 3/155 C
, H02M 3/155 F
, H02M 3/155 H
, H02H 3/08 N
, H02H 3/087
, H02H 7/20 D
, H02M 7/12 Q
Fターム (43件):
5G004AA04
, 5G004AB02
, 5G004BA04
, 5G004DA02
, 5G004DC03
, 5G004DC04
, 5G004EA01
, 5G053AA01
, 5G053BA01
, 5G053BA04
, 5G053CA01
, 5G053DA01
, 5G053EA09
, 5G053EB05
, 5G053EC03
, 5H006AA02
, 5H006AA05
, 5H006CA02
, 5H006CA07
, 5H006CB01
, 5H006CB08
, 5H006DA04
, 5H006DC02
, 5H006DC05
, 5H006FA02
, 5H730AA18
, 5H730AA20
, 5H730AS01
, 5H730AS04
, 5H730BB14
, 5H730BB57
, 5H730CC01
, 5H730DD04
, 5H730FD01
, 5H730FD11
, 5H730FG05
, 5H730FG25
, 5H730FG26
, 5H730XX04
, 5H730XX16
, 5H730XX26
, 5H730XX35
, 5H730XX43
引用特許:
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