特許
J-GLOBAL ID:200903068095851788

製膜方法および磁気記録媒体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡田 数彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-025037
公開番号(公開出願番号):特開2000-226657
出願日: 1999年02月02日
公開日(公表日): 2000年08月15日
要約:
【要約】【課題】熱フィラメント-プラズマCVD装置を使用し、炭素が主成分である膜を連続的に製膜するに当たり、膜厚および膜質がより一定になる様に改良された製膜方法を提供する。【解決手段】製膜室内で真空条件下に加熱されたフィラメント状カソードとアノードとの間の放電により製膜原料ガスをプラズマ状態とし、そして、マイナス電位により上記のプラズマを基材表面に加速衝突させて製膜する、熱フィラメント-プラズマCVD装置を使用し、製膜原料ガスとして炭素含有モノマーガスを使用し、炭素が主成分である膜を製膜するに当たり、カソードとアノード間のプラズマ電圧(VP)を一定にし、カソードへの供給電力(Pf)を調節することにより、プラズマ電流(IP)を一定にする。
請求項(抜粋):
製膜室内で真空条件下に加熱されたフィラメント状カソードとアノードとの間の放電により製膜原料ガスをプラズマ状態とし、そして、マイナス電位により上記のプラズマを基板表面に加速衝突させて製膜する、熱フィラメント-プラズマCVD装置を使用し、製膜原料ガスとして炭素含有モノマーガスを使用し、炭素が主成分である膜を製膜するに当たり、カソードとアノード間のプラズマ電圧(VP)を一定にし、カソードへの供給電力(Pf)を調節することにより、プラズマ電流(IP)を一定にすることを特徴とする製膜方法。
IPC (3件):
C23C 16/26 ,  C23C 16/503 ,  G11B 5/84
FI (3件):
C23C 16/26 Z ,  C23C 16/50 A ,  G11B 5/84 B
Fターム (15件):
4K030BA06 ,  4K030BA27 ,  4K030BB13 ,  4K030CA02 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030JA16 ,  4K030JA17 ,  4K030LA05 ,  5D112AA07 ,  5D112AA24 ,  5D112BC05 ,  5D112FA10 ,  5D112FB09 ,  5D112FB21
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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