特許
J-GLOBAL ID:200903068105887948
銀薄膜の製造方法及び銅-銀合金薄膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-248716
公開番号(公開出願番号):特開2005-100980
出願日: 2004年08月27日
公開日(公表日): 2005年04月14日
要約:
【課題】 比較的低温での焼成によっても、基板に対する密着性及び表面平滑性に優れた銀薄膜及び銅-銀合金薄膜を製造することができる銀薄膜の製造方法及び銅-銀合金薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に塗布した銀微粒子分散ペーストを焼成して銀薄膜を得る銀薄膜の製造方法において、銀イオン及び保護剤を含む第一有機溶剤に還元剤を添加して攪拌して得られた沈殿物を除去し、ろ過液を濃縮して固形物を作製し、該固形物を第二有機溶剤に溶解して銀微粒子分散ペーストを作製し、該銀微粒子分散ペーストに有機金属化合物を添加して有機金属化合物含有銀微粒子分散ペーストを作製し、該有機金属化合物含有銀微粒子分散ペーストを基板上に展開して薄膜化し、250°C〜350°Cの温度で焼成することを特徴とする銀薄膜の製造方法である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
基板上に塗布した銀微粒子分散ペーストを焼成して銀薄膜を得る銀薄膜の製造方法において、
銀イオン及び保護剤を含む第一有機溶剤に還元剤を添加して攪拌して得られた沈殿物を除去してろ過液を作製し、
該ろ過液を濃縮して固形物を作製し、
該固形物を第二有機溶剤に溶解して銀微粒子分散ペーストを作製し、
該銀微粒子分散ペーストに有機金属化合物を添加して有機金属化合物含有銀微粒子分散ペーストを作製し、
該有機金属化合物含有銀微粒子分散ペーストを基板上に展開して薄膜化し、250°C〜350°Cの温度で焼成することを特徴とする銀薄膜の製造方法。
IPC (4件):
H01B13/00
, C23C18/08
, H01L21/288
, H01L21/3205
FI (4件):
H01B13/00 503Z
, C23C18/08
, H01L21/288 M
, H01L21/88 M
Fターム (27件):
4K022AA03
, 4K022AA05
, 4K022AA41
, 4K022AA42
, 4K022BA01
, 4K022BA02
, 4K022BA06
, 4K022BA08
, 4K022BA10
, 4K022BA22
, 4K022BA31
, 4K022BA32
, 4K022BA34
, 4K022CA24
, 4K022DA06
, 4K022EA01
, 4M104BB04
, 4M104BB08
, 4M104DD51
, 4M104DD78
, 4M104HH08
, 5F033HH12
, 5F033HH14
, 5F033PP26
, 5F033QQ73
, 5F033XX13
, 5G323AA01
引用特許:
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