特許
J-GLOBAL ID：200903068121321598
高周波用配線基板
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-116963
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307685
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】小型化が可能で伝送特性に優れ、マイクロ波またはミリ波等のアンテナ素子と半導体素子を含むシステムに使用可能な高周波用配線基板を提供する。【解決手段】グランド層10を介して複数の誘電体材料2,3からなる高周波用半導体パッケージ1または配線基板において、一端が前記半導体素子7と電気的に接続される第1の信号伝送線路8と、前記絶縁層4内部に配設されたグランド層10と、前記絶縁層の裏面に形成された第2の信号伝送線路9とを具備し、前記第1の信号伝送線路の他端と、前記第2の信号伝送線路の他端が前記グランド層に設けられたスロット孔11を介して電磁結合する構造で、前記第1の信号伝送線路と前記グランド層との間に位置する絶縁層2の誘電率ε1が、前記第2の信号伝送線路と前記グランド層との間に位置する絶縁層3の誘電率ε2よりも大きい誘電体材料を用いる。
請求項（抜粋）：
誘電体材料からなる複数の絶縁層を積層してなり、表面に半導体素子が搭載される絶縁基板と前記半導体素子と電気的に接続される第1の信号伝送線路と、前記絶縁基板内部に配設されたグランド層と、前記絶縁基板の裏面に形成された第2の信号伝送線路とを具備し、前記第1の信号伝送線路と、前記第2の信号伝送線路の間で信号の伝達が行われる配線基板であって、前記第1の信号伝送線路と前記グランド層との間に位置する絶縁層の誘電率ε1が、前記第2の信号伝送線路と前記グランド層との間に位置する絶縁層の誘電率ε2よりも大きいことを特徴とする高周波用配線基板。
IPC (6件)：
FI (6件)：
引用特許：
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