特許
J-GLOBAL ID：200903074337684261
高周波用半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-107139
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293826
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】マイクロ波からミリ波帯域でも使用可能で信号の反射損、放射損等による特性劣化が小さい高周波用半導体装置、ならびにフィルターを内蔵した小型化が可能な高周波用半導体装置を提供する。【解決手段】誘電体材料からなる絶縁基板2と蓋体3により形成されるキャビティ4内部に半導体素子5や回路部品が搭載された半導体装置1において、キャビティ4内部の絶縁基板2の表面に半導体素子5と接続された高周波用伝送線路8と、絶縁基板2の底面に形成された高周波用伝送線路10を電磁結合させ、また、上記高周波用伝送線路8、10をアース層6に形成されたスロット孔11を介して電磁結合し、第2の伝送線路にフィルター回路を介在させ、さらに伝送線路10の一部を外部電気回路基板に実装する。
請求項（抜粋）：
誘電体材料からなる絶縁基板と蓋体により形成されるキャビティ内部に半導体素子が搭載された半導体装置において、前記キャビティ内部の前記絶縁基板の表面に、前記半導体素子と電気的に接続された第1の高周波用伝送線路と、前記絶縁基板の底面に第2の高周波用伝送線路と形成し、前記第1の高周波伝送線路と第2の高周波用伝送線路とを電磁結合させたことを特徴とする高周波用半導体装置。
引用特許：
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