半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-000339
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199886
出願日： 1997年01月06日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】本発明は、表面の保護の信頼性が向上し、しかも高周波ノイズに対し影響を受けにくいバンプ電極を有する半導体装置を提供することにある。【解決手段】本発明の半導体装置は、回路素子が形成された半導体基板1と、前記半導体基板上に形成された電極パッド3と、前記電極パッド3上に形成されたバリヤメタル5と、前記バリヤメタル5上に形成されたバンプ電極7を有する半導体装置において、前記回路素子のグランド電極となるバンプ電極7bに電気的に接続するバリヤメタル5を半導体基板1の略全面に残存させたことを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

回路素子が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成された電極パッドと、前記電極パッド上に形成されたバリヤメタルと、前記バリヤメタル上に形成されたバンプ電極を有する半導体装置において、前記回路素子のグランド電極となるバンプ電極に電気的に接続するバリヤメタルを半導体基板の略全面に残存させたことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/92 602 H , H01L 21/92 604 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-116830
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-016143 出願人：日本電装株式会社
特開昭61-005549

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