特許
J-GLOBAL ID：200903068148579589
高密度スパッタ・ターゲットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-204499
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064769
出願日： 2000年07月06日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、厚さに対する半径の比が少なくとも3で、理論的密度の少なくとも96%の高密度のスパッタ・ターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】 この方法は、金属プレート間で粉体層を熱間圧縮または振動させて予備圧縮した後、熱間静水圧成形することを特徴とする。熱間圧縮では密度が理論値の約50%より大きく、厚さに対する半径の比が少なくとも約3である圧縮ターゲット素材を得る。また熱間静水圧成形では、理論値の少なくとも96%の密度と、少なくとも約3の厚さに対する半径の比とを有するほぼ最終形状のスパッタ・ターゲットを得る。このために金属カプセル内で圧縮ターゲット素材を熱間静水圧成形される。
請求項（抜粋）：
かさ密度が理論値の約50%より大きく、厚さに対する半径の比が少なくとも約3である圧縮ターゲット素材を得るために粉体層を熱間圧縮する段階、および理論値の少なくとも96%の密度と、少なくとも約3の厚さに対する半径の比とを有するほぼ最終形状のスパッタ・ターゲットを得るために、金属カプセル内で圧縮ターゲット素材を熱間静水圧成形する段階を含んで成る高密度スパッタ・ターゲットの製造方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, B22F 3/15
, C22C 1/04
, C22C 1/05
C23C 14/34 A
, C23C 14/34 B
, B22F 3/15 M
, C22C 1/04 C
, C22C 1/04 A
, C22C 1/04 D
, C22C 1/04 E
, C22C 1/05 N
