特許
J-GLOBAL ID：200903068165450727

電気光学装置

発明者：
佐藤 尚

佐藤 尚 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122601
公開番号（公開出願番号）：特開2001-305580
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
要約：
【要約】【課題】 電気光学装置において、画素開口率を高めると同時に蓄積容量の増大を図り且つ斜めの入射光や戻り光に対する遮光性能を高めることにより、クロストークやゴーストを低減しコントラスト比を向上して、高品位の画像表示を行う。【解決手段】 電気光学装置は、TFTアレイ基板(10)上に、画素電極(9a)と、画素電極をスイッチング制御するTFT(30)と、このTFTに接続された走査線(3a)及びデータ線(6a)とを備える。平面的に見てデータ線に重なる領域に、蓄積容量(70)が構築される。蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第1容量電極(13)と、画素電極及びTFT間を中継接続するバリア層(34)と同一膜からなる第2容量電極(33)とが、誘電体膜(42)を介して対向配置されてなる。
請求項（抜粋）：
基板上に、相交差する走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに中間導電層を中継して接続された画素電極と、平面的に見て前記データ線に重なる領域に配置された蓄積容量と、各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する導電性の遮光膜とを備えており、前記蓄積容量は、前記走査線と同一膜からなると共に前記画素電極に接続されて画素電極電位とされる第1容量電極と、該第1容量電極に誘電体膜を介して対向配置され且つ前記中間導電層と同一膜からなると共に前記遮光膜に接続されて固定電位とされる第2容量電極とを備えたことを特徴とする電気光学装置。
IPC (2件)：
G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 349
FI (2件)：
G09F 9/30 349 C ,  G02F 1/136 500
Fターム (42件)：
2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA37 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB51 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092NA07 ,  2H092NA25 ,  2H092PA07 ,  2H092PA08 ,  2H092PA10 ,  2H092PA11 ,  2H092RA05 ,  5C094AA06 ,  5C094AA09 ,  5C094AA10 ,  5C094AA25 ,  5C094AA48 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094DB10 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094ED15 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15
引用特許：
審査官引用 (7件)
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