特許
J-GLOBAL ID：200903044553411109
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-158681
公開番号（公開出願番号）：特開平10-010548
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタに対する遮光性を向上でき、しかも、開口率を犠牲にすることなく大きい保持容量の確保が可能であり、表示品位のよい高精細化を可能とする。【解決手段】 アクティブマトリクス基板側の透明絶縁基板1上に遮光性導電膜2を、薄膜トランジスタ20と透明絶縁基板1との間に配置し、遮光性導電膜2を保持容量用配線として利用すると共に、ゲート配線8を形成する金属薄膜と同一の薄膜で保持容量電極9を形成して遮光性導電膜2と接続し、この2つの保持容量電極9と遮光性導電膜2との間に絶縁膜3、6を介して薄膜トランジスタ20のドレイン領域5を配置して保持容量を形成し、その保持容量をデータ信号線12の下に絶縁膜10を介して配置する。
請求項（抜粋）：
液晶層を挟んで対向基板と対向配設されるものであって、マトリクス状に配設された表示用の画素電極と、該画素電極への信号の入出力を制御する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを順次オンオフ制御する走査信号線と、前記薄膜トランジスタを介して画素電極ヘデータを入出力する為のデータ信号線とを有するアクティブマトリクス基板において、該薄膜トランジスタよりも基板側に絶縁膜を介して形成されている遮光性導電膜と、該薄膜トランジスタを構成している半導体層と同一材料からなる薄膜との間、および該走査信号線と同一材料からなる金属薄膜であって該遮光性導電膜と電気的に接続されている保持容量電極と該薄膜との間の各々で保持容量が形成され、該保持容量電極の少なくとも一部が該データ信号線に重なっているアクティブマトリクス基板。
IPC (4件)：
G02F 1/1343
, G02F 1/1335 500
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
G02F 1/1343
, G02F 1/1335 500
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 619 B
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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