特許
J-GLOBAL ID：200903068202739953
反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク及び極端紫外線の露光方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-210714
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041740
出願日： 2006年08月02日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】EUVの波長領域における反射コントラストが十分に大きく、かつ、DUVの波長における反射率が十分に低く、高感度でのパターン検査が可能となり、その結果高精度のパターン転写が可能となる反射型フォトマスクを提供することを目的とする。【解決手段】本発明の反射型フォトマスクブランクは、基板と、該基板上に設けられた多層反射膜と、該多層反射膜上に設けられたバッファー層、さらに該バッファー層上に設けられた光吸収層からなり、バッファー層にはジルコニウムとニオブと珪素の少なくとも1種の元素と酸素を含有する層を具備し、光吸収層にインジウムと酸素とフッ素を含有する層を具備することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、
該基板上に設けられた多層反射膜と、
該多層反射膜上に設けられたバッファー層と、
該バッファー層上に設けられた光吸収層と
を有する反射型フォトマスクブランクにおいて、
光吸収膜の少なくとも1層にインジウムと酸素とフッ素を含有する層を具備し、
バッファー層としてジルコニウムとニオブと珪素からなる群から選択される少なくとも1種類の元素と酸素を含有する層を具備すること
を特徴とする反射型フォトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 531M
, G21K1/06 B
, G21K1/06 C
5F046GD10
, 5F046GD15
, 5F046GD16
