特許

J-GLOBAL ID：200903068204838274

太陽電池用基板の粗面化方法

発明者： 樋熊 弘子 ,  松野 繁 ,  松本 紀久 ,  前川 武之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-091757
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277295
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】 より低コストかつより低反射率の得られる太陽電池用基板の粗面化方法を提供すること。【解決手段】 金属又は炭素から成り平均粒径が5μm以下のマスク用微粒子を含む塗液を基板の表面に塗布して、その基板の表面に塗膜を形成する。次いで、基板の表面をエッチングした後、残留する塗膜を基板の表面から除去する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属又は炭素から成り平均粒径が5μm以下のマスク用微粒子を含む塗液を基板の表面に塗布して、上記基板の表面に塗膜を形成する工程と、上記基板の表面をエッチングする工程と、残留する塗膜を上記基板の表面から除去する工程とを含む太陽電池用基板の粗面化方法。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (2件)：

H01L31/04 H ,  H01L31/04 M

Fターム (6件)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051CB24 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 太陽電池用シリコン基板の粗面化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-063060   出願人：三菱電機株式会社
• 基板の表面加工方法及び太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-113555   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (1件)

• 太陽電池用シリコン基板の粗面化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-063060   出願人：三菱電機株式会社