真空を使った真空チャンバ内のウエハ取扱

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-014567
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297262
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】ウエハ処理において、ウエハを下向きで支持する手段を提供する。【構成】 C形状支持組立体から支えられた傾斜のついた接触面を有する一組の三つのトランスファフィンガ76a〜cが、サセプタ138の底面に隣接して置かれているウエハを持ち上げる。ウエハの大きな部分を被っているサセプタの面内の凹みが、処理チャンバ圧力に比べて排気され、処理チャンバとウエハの後ろの排気された凹みとの間の差圧がウエハを支えることができるようになると、トランスファフィンガ支持体は下に下がり、ウエハとサセプタ組立体の下から回転し外れる。それからサセプタは、真空によって取付けられたウエハと共に、C形状支持組立体によって支持されまたガス分布板に対抗するシャドウリングに接触する処理位置にまで降ろされる。

請求項（抜粋）：

制御された内部基板処理環境を有し、真空源と共に使用するためのチャンバを含む基板処理装置であって、基板の裏面に係合するに適した下向き基板搭載面を画成している、チャンバ内の基板マウントであって、その面と前記真空源との間に通路を画成しているマウントと、エッジ近傍で基板を係合し、その基板と搭載面を、上向きの該基板の裏面に近接するように運ぶための基板トランスファ装置とを備え、それにより、前記下向き基板搭載面と基板の裏面とが隣接しているとき、前記通路が真空下にあり、その基板の裏側の圧力が、該基板が前記下向き基板搭載面に押しつけられている処理チャンバの圧力より充分に低く、処理すべき面が前記チャンバ環境に完全にさらされており、その面への接触はエッジ近傍だけであり、その面上への粒子が回避される、基板処理装置。

引用特許：

審査官引用 (9件)

静電吸着方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-150431 出願人：富士通株式会社
特開平4-340249
プローブ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-216649 出願人：東京エレクトロン株式会社

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