特許

J-GLOBAL ID：200903068231900682

半導体装置の製造方法及び電子部品の実装方法

発明者： 松木 浩久 ,  松井 弘之 ,  谷口 文彦 ,  兒玉 邦雄 ,  渡辺 英二 ,  水越 正孝
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-245929
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244283
出願日： 2000年08月14日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造方法に関し、フラックスを使用せず且つ半田層にボイドの発生をさせずに半田バンプの形成ができ、しかも半田バンプ整形後に洗浄が不要なこと。【解決手段】半導体装置の下地金属膜5の上に半田バンプ6を形成する工程と、カルボン酸を含み且つ減圧された雰囲気A中に半導体装置及び半田バンプ6を配置して加熱する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体装置の金属膜の上に半田層を形成する工程と、カルボン酸を含み且つ減圧された雰囲気中に前記半導体装置及び前記半田層を配置する工程と、前記雰囲気中で前記半田層を加熱溶融する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 金属結合方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-226731   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• はんだバンプ形成用フラックス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-294921   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-171888