特許
J-GLOBAL ID:200903068267542260

第2高調波発生装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-152526
公開番号(公開出願番号):特開2003-344886
出願日: 1995年09月21日
公開日(公表日): 2003年12月03日
要約:
【要約】【課題】 半導体レーザの出力変動や波長変動を低減するので、第2高調波の出力変動を低減し、高出力で安定な第2高調波発生装置を得る。【解決手段】 第2高調波発生素子には高屈折率層3と保護膜6が形成されている。この保護膜6の入射側端面4付近を、半導体レーザの光導波路内に反射光が結合しない程度に後退させることにより、半導体レーザへの戻り光を低減する。
請求項(抜粋):
非線形光学材料からなる基板を用いた第2高調波発生素子を備え、前記第2高調波発生素子は前記素子基板に形成された高屈折率層を有し、前記高屈折率層の端点が前記第2高調波発生素子の出射側の端面よりも内部にあることを特徴とする第2高調波発生装置。
Fターム (18件):
2K002AA01 ,  2K002AA02 ,  2K002AA04 ,  2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002CA03 ,  2K002CA05 ,  2K002CA22 ,  2K002DA06 ,  2K002EA03 ,  2K002EA09 ,  2K002EA11 ,  2K002FA07 ,  2K002FA26 ,  2K002FA28 ,  2K002GA04 ,  2K002GA05 ,  2K002HA20
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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