特許
J-GLOBAL ID:200903068275981728
電子素子用基板とその製造方法並びに電子素子とその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
廣澤 勲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-324117
公開番号(公開出願番号):特開2002-134659
出願日: 2000年10月24日
公開日(公表日): 2002年05月10日
要約:
【要約】【課題】 簡単な工程で基板の厚み方向の導電性を得ることができ、基板表裏間の気密性も確保することができる電子素子用基板を提供する。【解決手段】 ガラス等の絶縁性の基板11の所定位置に透孔12を形成し、ガラスやシリコン等の絶縁体の微小粒15の表面に金属薄膜16等の導電性薄膜を設けた導電性材料からなる導電体14を、透孔12内に充填する。導電体14は、透孔12を気密状態で埋めるとともに、基板11の表裏の電気的導通を図る。
請求項(抜粋):
絶縁性の基板の所定位置に透孔を形成し、絶縁体の微小粒の表面に導電性薄膜を設けた導電性材料からなる導電体を上記透孔内に充填し、この導電体により上記透孔を気密状態に埋めるとともに上記基板の表裏の電気的導通を可能としたことを特徴とする電子素子用基板。
IPC (3件):
H01L 23/15
, G01P 15/08
, G01P 15/125
FI (3件):
G01P 15/125
, H01L 23/14 C
, G01P 15/08 P
引用特許:
前のページに戻る