特許
J-GLOBAL ID：200903068278584622

半導体装置およびその製造方法

発明者：
菅長 利文

菅長 利文 について

, 
石川 英一

石川 英一 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-158779
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031950
出願日： 1994年07月11日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、段差を低減させたデバイスを得ることを最も主要な特徴とする。【構成】 半導体基板13の表面に、第1の導電層15aと第2の導電層15bが互いに離されて形成されている。層間絶縁膜23中に、第1の導電層15aの表面を露出させるための第1のコンタクトホール10が設けられている。第1のコンタクトホール10内に、第1の導電層15aに接触するように、第1の配線層4が埋め込まれている。第1の配線層4の表面の位置は、層間絶縁膜23の表面と同一か、またはそれ以下にされている。第1の配線層4の表面を絶縁膜5が覆っている。層間絶縁膜23中に、第2の導電層15bの表面を露出させるための第2のコンタクトホール9が設けられている。第2のコンタクトホール9を通って、第2の導電層15bに、第2の配線層6が接続されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の表面に互いに離されて形成された第1導電層と第2導電層と、前記半導体基板の上に形成された層間絶縁膜と、を備え、前記層間絶縁膜中には、前記第1導電層の表面を露出させるための第1のコンタクトホールが設けられており、当該装置は、また、前記第1のコンタクトホール内に前記第1の導電層に接触するように埋め込まれた第1の配線層、を備え、前記第1の配線層の表面の位置は、前記層間絶縁膜の表面と同一か、またはそれ以下にされており、当該装置は、さらに、前記第1の配線層の表面を覆う絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に設けられ、前記第2導電層の表面を露出させるための第2のコンタクトホールと、前記第2のコンタクトホールを通って、前記第2の導電層に接触するように、前記層間絶縁膜の上に設けられた第2の配線層と、を備えた半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 27/10 325 C ,  H01L 21/90 D ,  H01L 27/10 325 P
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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