特許
J-GLOBAL ID：200903068304224214

静電チャック装置

発明者：
佐藤 隆

佐藤 隆 について

, 
前田 進一

前田 進一 について


出願人/特許権者：
住友大阪セメント株式会社

住友大阪セメント株式会社 について


代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-009645
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194320
出願日： 2006年01月18日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】静電チャック部材と温度調整用ベース部材とを接合する接合層の耐久性、伸び性に優れ、よって装置自体の耐久性も優れ、しかも半導体ウエハ等の板状試料への汚染源となる虞もない静電チャック装置を提供する。【解決手段】本発明の静電チャック装置1は、セラミックスからなる静電チャック部材2と、金属および/またはセラミックスからなる温度調整用ベース部材3と、これら静電チャック部材2及び温度調整用ベース部材3を接合・一体化する接合層4とにより構成され、この接合層4は、硬化体であるシリコーン系樹脂組成物と、表面に酸化珪素(SiO2)からなる被覆層が形成された表面被覆窒化アルミニウム(AlN)粒子とを含有してなることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
セラミックスからなる静電チャック部材と、金属および/またはセラミックスからなる温度調整用ベース部材とを、接合層を介して接合してなる静電チャック装置であって、 前記接合層は、シリコーン系樹脂組成物と、表面被覆窒化アルミニウム(AlN)粒子とを含有し、 前記表面被覆窒化アルミニウム(AlN)粒子は、窒化アルミニウム(AlN)粒子の表面に酸化珪素(SiO2)からなる被覆層を形成してなることを特徴とする静電チャック装置。
IPC (2件)：
H01L 21/683 ,  H02N 13/00
FI (2件)：
H01L21/68 R ,  H02N13/00 D
Fターム (10件)：
5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA38 ,  5F031HA39 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F031PA26 ,  5F031PA30
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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