特許
J-GLOBAL ID：200903068342818187

ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法

発明者：
脇屋 和正

脇屋 和正 について

, 
小林 政一

小林 政一 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-375267
公開番号（公開出願番号）：特開2001-188363
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 特に液晶表示素子等に利用されるSiO2基板を用いる分野において、金属配線、特にはCu配線を形成した基板、あるいは金属配線とポリシリコン膜等の無機材料層を形成した基板基板の防食性に優れるとともに、ホトレジスト層、変質膜の剥離性に優れるホトレジスト用剥離液、およびこれを用いたホトレジスト剥離方法を提供する。【解決手段】 (a)含窒素有機ヒドロキシ化合物、(b)水溶性有機溶媒、(c)水、および(d)特定のベンゾトリアゾール系化合物を含有してなるホトレジスト用剥離液、およびこれを用いたホトレジスト剥離方法。
請求項（抜粋）：
(a)含窒素有機ヒドロキシ化合物、(b)水溶性有機溶媒、(c)水、および(d)下記一般式(I)【化1】〔式中、Qは水素原子、水酸基、置換若しくは非置換の炭素原子数1〜10の炭化水素基(ただし、その構造中にアミド結合、エステル結合を有していてもよい)、アリール基、または下記化2【化2】(化2中、R3は炭素原子数1〜6のアルキル基を示し;R4、R5は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、または炭素原子数1〜6のヒドロキシアルキル基若しくはアルコキシアルキル基を示す)で表される基を示し;R1、R2は、それぞれ独立に水素原子、置換若しくは非置換の炭素原子数1〜10の炭化水素基、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、シアノ基、ホルミル基、スルホニルアルキル基、またはスルホ基を示す〕で表されるベンゾトリアゾール系化合物を含有してなる、ホトレジスト用剥離液。
IPC (2件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B
Fターム (18件)：
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096CA05 ,  2H096CA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096GA08 ,  2H096HA11 ,  2H096HA17 ,  2H096JA04 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  2H096LA07 ,  2H096LA09 ,  2H096LA16 ,  5F046MA02 ,  5F046MA12 ,  5F046MA17
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM