露光用フォトマスクおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-165995
公開番号（公開出願番号）：特開平9-073166
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】フォトリソグラフィーにおいて、孤立パターンの焦点深度を向上させるとともに、周期パターンの端や孤立パターンの光学的な近接効果を減少させること。【解決手段】透明基板上に遮光膜でパターンが形成される露光用フォトマスクにおいて、投影露光で半導体基板の表面に転写される主パターンが前記遮光膜で形成され、且つ、前記露光用の照射光に対して透過率の低い材料膜で形成される補助用パターンが前記主パターンの周辺部分に配設されている。

請求項（抜粋）：

透明基板上に遮光膜でパターンが形成される露光用フォトマスクに於いて、投影露光で半導体基板の表面に転写される主パターンが前記遮光膜で形成され、且つ、前記露光用の照射光に対して透過率の低い材料膜で形成される補助用パターンが前記主パターンの周辺部分に配設されていることを特徴とする露光用フォトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体製造のためのフォトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-241815 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
特開平3-210560
フォトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-330998 出願人：日本電気株式会社

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