特許
J-GLOBAL ID:200903068393291027

疎水性修飾ポリロタキサン

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 的場 基憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-176558
公開番号(公開出願番号):特開2008-291267
出願日: 2008年07月07日
公開日(公表日): 2008年12月04日
要約:
【課題】有機溶剤に可溶な疎水性修飾ポリロタキサンの提供。【解決手段】疎水性修飾ポリロタキサンは、環状分子7と、この環状分子を串刺し状に包接する直鎖状分子6と、この直鎖状分子の両末端に配置され上記環状分子の脱離を防止する封鎖基8とを有する。環状分子がシクロデキストリンで、当該シクロデキストリンの水酸基の全部又は一部がトリチル基で修飾されている。シクロデキストリンのトリチル基による修飾度は、当該シクロデキストリンの水酸基が修飾され得る最大数を1とすると、0.02以上である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
環状分子と、この環状分子を串刺し状に包接する直鎖状分子と、この直鎖状分子の両末端に配置され上記環状分子の脱離を防止する封鎖基とを有するポリロタキサンにおいて、 上記環状分子がシクロデキストリンであり、当該シクロデキストリンの水酸基の全部又は一部がトリチル基で修飾されていることを特徴とする疎水性修飾ポリロタキサン。
IPC (5件):
C08B 37/16 ,  C08G 85/00 ,  C08L 5/16 ,  C08L 67/04 ,  C08L 71/02
FI (5件):
C08B37/16 ,  C08G85/00 ,  C08L5/16 ,  C08L67/04 ,  C08L71/02
Fターム (25件):
4C090BA11 ,  4C090BB52 ,  4C090BB65 ,  4C090BB76 ,  4C090BB92 ,  4C090BD37 ,  4C090BD50 ,  4C090DA03 ,  4J002AB05W ,  4J002CF19X ,  4J002CH02X ,  4J002FD140 ,  4J002GB00 ,  4J002GC00 ,  4J002GH01 ,  4J002GJ01 ,  4J031BA22 ,  4J031BA29 ,  4J031BB01 ,  4J031BB02 ,  4J031BD03 ,  4J031BD05 ,  4J031BD12 ,  4J031BD13 ,  4J031CA06
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特許第3475252号公報
審査官引用 (1件)

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