特許

J-GLOBAL ID：200903068419723729

p型コンタクト電極装置および発光装置

発明者： 八百 隆文 ,  ▼ちょう▲ 明煥
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  八百 隆文
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179282
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007446
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】ZnSe系II-VI化合物半導体におけるp型コンタクト電極装置であって、p型ドープ性が高く、GaAs基板に対する格子不整合が低いBeTe層をコンタクト層として使用しつつ、大気中での酸化を防止すること。【解決手段】ZnSe系II-VI化合物半導体におけるp型コンタクト電極装置を提供する。この装置2は、p-BeTeからなるコンタクト層5と、コンタクト層5上のp-ZnSeからなるキャップ層4と、キャップ層4上の電極3とを備えている。好ましくは、キャップ層4の厚さが30-70オングストロームであり、あるいは、電極3が金からなり、あるいは、キャップ層4内に金が拡散している。

請求項（抜粋）：

ZnSe系II-VI化合物半導体におけるp型コンタクト電極装置であって、p-BeTeからなるコンタクト層と、コンタクト層上のp-ZnSeからなるキャップ層と、キャップ層上の電極とを備えていることを特徴とする、p型コンタクト電極装置。

IPC (3件)：

H01S 5/327 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/042 610

FI (4件)：

H01S 5/327 ,  H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 D ,  H01S 5/042 610

Fターム (22件)：

5F041AA34 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F073AA51 ,  5F073AA61 ,  5F073CA22 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB10 ,  5F073CB13 ,  5F073CB22 ,  5F073DA06 ,  5F073DA30 ,  5F073EA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体発光素子および光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-330914   出願人：ソニー株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-161128   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-151155   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ