特許
J-GLOBAL ID：200903068460116391
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-091101
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289129
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：
【要約】【課題】 サージ電圧を抑制した半導体装置を提供すること。【解決手段】 本発明の半導体装置は、第2の導体部材5と第3の導体部材6との間に介在されるとともに、FWDチップ2の素子に対して並列に接続されたコンデンサ14を、樹脂9によってFWDチップ2などと一体的にモールドしている。即ち、サージ電圧の発生源であるFWDチップ2の近傍にコンデンサ14を配置しているため、このコンデンサ14によってFWDチップ2から発生するサージ電圧を吸収することができる。それによって、FWDチップ2から発生したサージ電圧を効果的に抑制するとともに、サージ電圧の輻射量を低減することができ、周辺電子装置の誤作動やラジオの受信障害を防止することができる。
請求項（抜粋）：
一方の導体部材と、この導体部材の上に接続された半導体チップと、この半導体チップの上に接続された他方の導体部材とを備え、前記2つの導体部材により前記半導体チップを狭持しつつ、前記半導体チップに形成された素子と前記2つの導体部材とを各々電気的に接続した半導体装置において、前記2つの導体部材の間に介在されるとともに、前記半導体チップに形成された前記素子に対して並列に接続されたコンデンサを設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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