半導体チップおよび半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-097911
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284525
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】外部から加えられる応力を緩和することができる半導体チップを提供し、かつ組み込まれた半導体チップに加わる応力を緩和することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 IGBT11およびFWD12の一面1a側および他面1b側の電極112、115が純Alであり、基板110の一面1aと電極112との間にはバリアメタル111を形成している。また、チップ11、12の他面1b側にDBC基板4の一面5a側を接合し、チップの一面1a側に接合した一面側の放熱部材20の端部23aを、DBC基板4の一面5a側に接合している。また、DBC基板4の他面5b側には他面側の放熱部材24を接合し、この他面側の放熱部材24には放熱面9を形成している。

請求項（抜粋）：

Siからなる基板(110)よりなり、前記基板(110)における素子形成面(1a)に形成された電極(112、113)が、不純物を含まない純Alであり、前記電極(112、113)と前記基板(110)との間に、SiがAl中に溶解することを防止するバリアメタル(111)が形成されていることを特徴とする半導体チップ。

IPC (4件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 21/60 301 , H01L 23/40

FI (3件)：

H01L 21/60 301 P , H01L 23/40 F , H01L 25/04 C

Fターム (5件)：

5F036AA01 , 5F036BB01 , 5F036BC06 , 5F044EE04 , 5F044EE06

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置におけるバリアメタル層の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-232365 出願人：ソニー株式会社
金属薄膜の形成方法および形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-212650 出願人：日本電気株式会社, 住友化学工業株式会社
半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-042422 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (4件)

半導体装置におけるバリアメタル層の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-232365 出願人：ソニー株式会社
金属薄膜の形成方法および形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-212650 出願人：日本電気株式会社, 住友化学工業株式会社
半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-042422 出願人：株式会社日立製作所

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