特許
J-GLOBAL ID：200903068473584904

高周波加熱装置、半導体製造装置および光源装置

発明者：
▲高▼田 豊

▲高▼田 豊 について

, 
藤井 知

藤井 知 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-212297
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128075
出願日： 2005年07月22日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 小型化および長寿命化を図りつつ、マイクロ波を発生させる。【解決手段】 マイクロ波帯の高周波を生成する発振器1、発振器1にて生成された高周波を増幅する増幅器2およびマイクロ波が照射される対象物からの反射波を阻止するアイソレータ3を設け、発振器1にて生成されたマイクロ波を増幅器2にて増幅し、アイソレータ3を介してアンテナ5に送出し、アンテナ5に送出されたマイクロ波を金属キャビティ4内に放射させ、金属キャビティ4内に設置された物質の水分子を振動させることにより、物質を加熱する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
マイクロ波を発生する固体発振器と、 前記固体発振器にて発生されたマイクロ波を増幅する増幅器と、 前記増幅器の後段に接続され、前記マイクロ波が照射される対象物からの反射波を阻止するアイソレータと、 前記対象物に向けてマイクロ波を照射するアンテナと、 前記対象物に照射されるマイクロ波を閉じ込める金属キャビティとを備えることを特徴とする高周波加熱装置。
IPC (3件)：
H05B 6/66 ,  H01L 21/306 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H05B6/66 C ,  H05B6/66 Z ,  H01L21/302 101D ,  H05H1/46 B ,  H05H1/46 R
Fターム (13件)：
3K086BA07 ,  3K086BA10 ,  5F004BA16 ,  5F004BB07 ,  5F004BB14 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F045AA10 ,  5F045DP03 ,  5F045EH01 ,  5F045EH02 ,  5F045EH17 ,  5F045EH20
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特開平3-194893号公報
  • 高周波加熱装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-039814   出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (8件)
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