画像形成装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-171842
公開番号（公開出願番号）：特開平7-028332
出願日： 1993年07月12日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】薄膜の感光体層を用いた画像形成を可能とした、電子写真方式の画像形成装置を提供する。【構成】導電性基体上にa-Si系感光体層を積層した電子写真用感光体2の感光体層側に、帯電手段3、露光手段4、導電性の磁気ブラシが形成される現像手段5および現像バイアス電圧印加手段6が順次配設される画像形成装置であって、前記感光体層が膜厚が2〜24μmで基体側よりP型半導体層とI型もしくはN型半導体層またはN型半導体層とI型もしくはP型半導体層とを順次積層した層の上に絶縁体または半絶縁体の表面保護層を積層した構成であり、且つ現像部における感光体表面の露光部と非露光部の電位差を10〜240Vに設定したことを特徴とする画像形成装置。

請求項（抜粋）：

導電性基体上にアモルファスシリコン系感光体層を形成した電子写真用感光体に、帯電手段、露光手段及び現像手段並びに該導電性基体と該現像手段との間に現像バイアス電圧印加手段を配設すると共に、前記感光体層を膜厚が2乃至24μmの範囲内になるように下記(イ)乃至(ヘ)から選ばれる積層上に絶縁体もしくは半絶縁体の表面層を被覆した積層構成とし、且つ前記現像手段に導電性磁性キャリアと絶縁性トナーとの組合せもしくは1成分導電性磁性トナーから成る現像剤により導電性磁気ブラシを形成して、該磁気ブラシと接触する前記感光体表面の露光領域と非露光領域の電位差を10乃至240Vの範囲内に設定せしめたことを特徴とする画像形成装置。(イ)P型半導体層上にI型半導体層を積層する。(ロ)P型半導体層上にN型半導体層を積層する。(ハ)P型半導体層上にI型半導体層とN型半導体層を順次積層する。(ニ)N型半導体層上にI型半導体層を積層する。(ホ)N型半導体層上にP型半導体層を積層する。(ヘ)N型半導体層上にI型半導体層とP型半導体層を順次積層する。

IPC (3件)：

G03G 15/09 , G03G 15/09 101 , G03G 5/08 105

引用特許：

審査官引用 (6件)

電子写真装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-156645 出願人：富士通株式会社
特開昭61-121072
画像形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-317112 出願人：河村孝夫, 京セラ株式会社

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